- 웨이퍼 제조 공정: 순도가 매우 높은 실리콘 결정체를 길게 잘라 얇은 웨이퍼 형태로 만드는 과정입니다. 이 웨이퍼는 반도체 칩을 만드는 기본적인 재료가 됩니다.
- 산화 공정: 웨이퍼 표면에 실리콘 다이옥사이드(SiO2)의 얇은 층을 형성하여 절연층을 만드는 과정입니다. 이는 트랜지스터 내부의 게이트 옥사이드와 같은 중요한 부품을 형성합니다.
- 포토 공정: 포토리소그래피라고도 하며, 광학적 방법을 이용해 웨이퍼 위에 미세한 회로 패턴을 전사하는 과정입니다. 이 과정을 통해 실제 반도체 회로가 형성됩니다.
- 식각 공정: 포토 공정을 통해 형성된 패턴에 따라 웨이퍼의 특정 부분을 제거하는 과정입니다. 식각을 통해 실제 회로의 3차원 구조가 만들어집니다.
- 증착 & 이온 주입 공정: 증착은 웨이퍼 표면에 다양한 재료를 얇은 층으로 추가하는 과정입니다. 이온 주입은 웨이퍼에 도핑 과정을 통해 전기적 특성을 조정하는 과정입니다.
- 금속 배선 공정: 전기적 연결을 위해 웨이퍼 상에 금속 층을 형성하는 과정입니다. 이 과정을 통해 트랜지스터 간의 연결이 이루어집니다.
- EDS 공정: 엔드 포인트 검출 시스템(End Point Detection System) 공정으로, 식각 공정의 완료 시점을 정확히 파악하는 과정입니다. 이는 공정의 정밀도를 높이는 데 중요한 역할을 합니다.
- 패키징 공정: 완성된 반도체 칩을 보호하고 외부 장치와 연결할 수 있도록 하는 과정입니다. 이 과정을 통해 칩은 최종 제품으로 완성됩니다.
출처 : https://news.samsungsemiconductor.com/kr